Name: SIZ240DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZ240DT-T1-GE3TR-ND
Price: 1.59988 CHF
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIZ240DT-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIZ240DT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIZ240DT-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIZ240DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIZ240DT-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR
Standardlieferzeit des Herstellers	29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 40V 17,2A (Ta), 48A (Tc), 16,9A (Ta), 47A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Oberflächenmontage 8-PowerPair® (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIZ240DT-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17,2A (Ta), 48A (Tc), 16,9A (Ta), 47A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,05mOhm bei 10A, 10V, 8,41mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	23nC bei 10V, 22nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1180pF bei 20V, 1070pF bei 20V
Leistung - Max.	4,3W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PowerPair® (3,3x3,3)
Basis-Produktnummer	SIZ240