
SIZ250DT-T1-GE3 | |
---|---|
DigiKey-Teilenr. | 742-SIZ250DT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIZ250DT-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIZ250DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIZ250DT-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR |
Standardlieferzeit des Herstellers | 24 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 60V 14A (Ta), 38A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Oberflächenmontage 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIZ250DT-T1-GE3 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (zweifach) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 14A (Ta), 38A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 12,2mOhm bei 10A, 10V, 12,7mOhm bei 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 21nC bei 10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 840pF bei 30V, 790pF bei 30V | |
Leistung - Max. | 4,3W (Ta), 33W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäuse / Hülle | 8-PowerWDFN | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 8-PowerPair® (3,3x3,3) | |
Basis-Produktnummer |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
---|---|---|
1 | Fr. 1.40000 | Fr. 1.40 |
10 | Fr. 0.88600 | Fr. 8.86 |
100 | Fr. 0.59450 | Fr. 59.45 |
500 | Fr. 0.46926 | Fr. 234.63 |
1’000 | Fr. 0.42897 | Fr. 428.97 |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
---|---|---|
3’000 | Fr. 0.37782 | Fr. 1’133.46 |
6’000 | Fr. 0.35209 | Fr. 2’112.54 |
Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.40000 |
---|---|
Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.51340 |