Name: SIZ260DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZ260DT-T1-GE3TR-ND
Price: 1.5134 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIZ260DT-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIZ260DT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIZ260DT-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIZ260DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIZ260DT-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8POWERPAIR
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 80V 8,9A (Ta), 24,7A (Tc), 8,9A (Ta), 24,6A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Oberflächenmontage 8-PowerPair® (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIZ260DT-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8,9A (Ta), 24,7A (Tc), 8,9A (Ta), 24,6A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	24,5mOhm bei 10A, 10V, 24,7mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	27nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	820pF bei 40V
Leistung - Max.	4,3W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PowerPair® (3,3x3,3)
Basis-Produktnummer	SIZ260