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SIZ300DT-T1-GE3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Vom Hersteller empfohlen
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIZ300DT-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIZ300DT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIZ300DT-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIZ300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIZ300DT-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8POWERPAIR |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 30V 11 A, 28 A 16,7W, 31W Oberflächenmontage 8-PowerPair® |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIZ300DT-T1-GE3 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Obsolet | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | |
FET-Merkmal | Logikpegel-Gate | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 11 A, 28 A | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 24mOhm bei 9,8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 12nC bei 10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 400pF bei 15V | |
Leistung - Max. | 16,7W, 31W | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäuse / Hülle | 8-PowerWDFN | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 8-PowerPair® | |
Basis-Produktnummer |
Obsolet
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