
SIZ998DT-T1-GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SIZ998DT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIZ998DT-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIZ998DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIZ998DT-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR |
Standardlieferzeit des Herstellers | 14 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 30V 20 A (Tc), 60 A (Tc) 20,2W, 32,9W Oberflächenmontage 8-PowerPair® (6x5) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIZ998DT-T1-GE3 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Hersteller | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Konfiguration | 2 N-kanal (dual), schottky | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 20 A (Tc), 60 A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 6,7mOhm bei 15A, 10V, 2,8mOhm bei 19A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,2V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 8,1nC bei 4,5V, 19,8nC bei 4,5V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 930pF bei 15V, 2620pF bei 15V | |
Leistung - Max. | 20,2W, 32,9W | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäuse / Hülle | 8-PowerWDFN | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 8-PowerPair® (6x5) | |
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.67000 | Fr. 1.67 |
| 10 | Fr. 1.06600 | Fr. 10.66 |
| 100 | Fr. 0.72180 | Fr. 72.18 |
| 500 | Fr. 0.57436 | Fr. 287.18 |
| 1’000 | Fr. 0.54468 | Fr. 544.68 |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.46671 | Fr. 1’400.13 |
| 6’000 | Fr. 0.44965 | Fr. 2’697.90 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.67000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.80527 |

