
SIZF906BDT-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 742-SIZF906BDT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIZF906BDT-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIZF906BDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIZF906BDT-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR |
Standardlieferzeit des Herstellers | 14 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 30V 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc) 4,5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Oberflächenmontage 8-PowerPair® (6x5) |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Konfiguration | 2 N-kanal (dual), schottky | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 2,1mOhm bei 15A, 10V, 0,68mOhm bei 20A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,2V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 49nC bei 10V, 165nC bei 10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1630pF bei 15V, 5550pF bei 15V | |
Leistung - Max. | 4,5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäuse / Hülle | 8-PowerWDFN | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 8-PowerPair® (6x5) | |
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.21000 | Fr. 2.21 |
| 10 | Fr. 1.42500 | Fr. 14.25 |
| 100 | Fr. 0.97960 | Fr. 97.96 |
| 500 | Fr. 0.79866 | Fr. 399.33 |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.65250 | Fr. 1’957.50 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.21000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.38901 |

