
SIZF920DT-T1-GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | 742-SIZF920DT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIZF920DT-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIZF920DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIZF920DT-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR |
Standardlieferzeit des Herstellers | 27 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 30V 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) 3,9W (Ta), 28W (Tc), 4,5W (Ta), 74W (Tc) Oberflächenmontage 8-PowerPair® (6x5) |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Hersteller | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Konfiguration | 2 N-kanal (dual), schottky | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 3,07mOhm bei 10A, 10V, 1,05mOhm bei 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,4V bei 250µA, 2,2V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 29nC bei 10V, 125nC bei 10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1300pF bei 15V, 5230pF bei 15V | |
Leistung - Max. | 3,9W (Ta), 28W (Tc), 4,5W (Ta), 74W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäuse / Hülle | 8-PowerWDFN | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 8-PowerPair® (6x5) | |
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.10000 | Fr. 2.10 |
| 10 | Fr. 1.35700 | Fr. 13.57 |
| 100 | Fr. 0.93060 | Fr. 93.06 |
| 500 | Fr. 0.74908 | Fr. 374.54 |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.70984 | Fr. 2’129.52 |
| 6’000 | Fr. 0.68695 | Fr. 4’121.70 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.10000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.27010 |

