SQ2337ES-T1_BE3 Vishay Siliconix | Einzelne FETs, MOSFETs

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQ2337ES-T1_BE3
DigiKey-Teilenr.	742-SQ2337ES-T1_BE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQ2337ES-T1_BE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQ2337ES-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQ2337ES-T1_BE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 80 V 2,2 A (Tc) 3W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 18 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 620 pF @ 40 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 3W (Tc)
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ P-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,2 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 290mOhm bei 1,2A, 10V	Basis-Produktnummer SQ2337
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 191’052

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt und ist daher nach Abverkauf der Lagerbestände nicht mehr lieferbar.

Menge

Alle Preise in CHF

Gurtabschnitt (CT)

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)