SQ3425EV-T1_GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

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Parametrisches Äquivalent

Vishay Siliconix

Vorrätig: 2’939

Stückpreis : Fr. 0.54000

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SQ3425EV-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQ3425EV-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQ3425EV-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQ3425EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQ3425EV-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 7,4 A (Tc) 5W (Tc) Oberflächenmontage 6-TSOP
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7,4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	60mOhm bei 4,7A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	840 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-TSOP
Gehäuse / Hülle	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer	SQ3425