Name: SQA470EJ-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQA470EJ-T1_GE3TR-ND
Price: 0.63779 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQA470EJ-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SQA470EJ-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQA470EJ-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQA470EJ-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQA470EJ-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 2,25 A (Tc) 13,6W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6 Single
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQA470EJ-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2,25 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	65mOhm bei 3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	440 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	13,6W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SC-70-6 Single
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SC-70-6
Basis-Produktnummer	SQA470

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