Name: SQJ431EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ431EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.75655 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQJ431EP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJ431EP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJ431EP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQJ431EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJ431EP-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 200 V 12 A (Tc) 83W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJ431EP-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 160 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4355 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ P-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 12 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 213mOhm bei 1A, 4V	Basis-Produktnummer SQJ431
Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 250µA