Name: SQJ465EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ465EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.57826 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQJ465EP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJ465EP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJ465EP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJ465EP-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 8 A (Tc) 45W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJ465EP-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	85mOhm bei 3,5A, 10V, 1,17mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1140 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	45W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TA)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer	SQJ465