Name: SQJ590EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ590EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.25929 CHF
Availability: InStock

Neues Produkt

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SQJ590EP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SQJ590EP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQJ590EP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQJ590EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJ590EP-T1_GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
Standardlieferzeit des Herstellers	37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 98 A (Tc) 245W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 52 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4622 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 245W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 98 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9,8mOhm bei 10A, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8