
SQJ912DEP-T1_GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQJ912DEP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQJ912DEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SQJ912DEP-T1_GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 27 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 40V 30 A (Tc) 27W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SQJ912DEP-T1_GE3 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Hersteller | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (zweifach) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 30 A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 7,3mOhm bei 7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 36nC bei 10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | - | |
Leistung - Max. | 27W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | Automobiltechnik | |
Qualifizierung | AEC-Q101 | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäuse / Hülle | PowerPAK® SO-8 Dual | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PowerPAK® SO-8 Dual | |
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.19000 | Fr. 1.19 |
| 10 | Fr. 0.76700 | Fr. 7.67 |
| 100 | Fr. 0.52790 | Fr. 52.79 |
| 500 | Fr. 0.41920 | Fr. 209.60 |
| 1’000 | Fr. 0.38245 | Fr. 382.45 |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.33712 | Fr. 1’011.36 |
| 6’000 | Fr. 0.31674 | Fr. 1’900.44 |
| 9’000 | Fr. 0.30850 | Fr. 2’776.50 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.19000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.28639 |

