Name: SQJ968EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ968EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.47016 CHF
Availability: InStock

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SQJ968EP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJ968EP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJ968EP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJ968EP-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 23.5A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 23,5 A (Tc) 42W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJ968EP-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 18,5nC bei 10V
Hersteller Vishay Siliconix	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 714pF bei 30V
Serie TrenchFET®	Leistung - Max. 42W (Tc)
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TA)
Status der Komponente Aktiv	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8 Dual
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 23,5 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8 Dual
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 33,6mOhm bei 4,8A, 10V	Basis-Produktnummer SQJ968
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA

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SQJ968EP-T1_GE3