Name: SQJB02ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJB02ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.47016 CHF
Availability: InStock

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SQJB02ELP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SQJB02ELP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQJB02ELP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJB02ELP-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 40V 30 A (Tc) 27W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 32nC bei 10V
Hersteller Vishay Siliconix	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1700pF bei 20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Leistung - Max. 27W
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8 Dual
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7,5mOhm bei 6A, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 250µA	Basis-Produktnummer SQJB02

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SQJB02ELP-T1_GE3