Name: SQJQ144AE-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ144AE-T1_GE3TR-ND
Price: 2.83222 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQJQ144AE-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SQJQ144AE-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQJQ144AE-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQJQ144AE-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJQ144AE-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 575A (Tc) 600W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJQ144AE-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	575A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,9mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	145 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	9020 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	600W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 8 x 8
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 8 x 8
Basis-Produktnummer	SQJQ144