Name: SQJQ466E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ466E-T1_GE3TR-ND
Price: 3.41596 CHF
Availability: InStock

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SQJQ466E-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJQ466E-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJQ466E-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQJQ466E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJQ466E-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Standardlieferzeit des Herstellers	37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 200 A (Tc) 150W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJQ466E-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 180 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10210 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 200 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 8 x 8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 8 x 8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,9mOhm bei 10A, 10V	Basis-Produktnummer SQJQ466
Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 250µA