Name: SQM120P10_10M1LGE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120P10_10M1LGE3TR-ND
Price: 4.12942 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQM120P10_10M1LGE3
DigiKey-Teilenr.	SQM120P10_10M1LGE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQM120P10_10M1LGE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQM120P10_10M1LGE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQM120P10_10M1LGE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQM120P10_10M1LGE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	10,1mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	190 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	9000 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	SQM120