SQM200N04-1M7L_GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

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Vorrätig: 1’895

Stückpreis : Fr. 2.32000

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SQM200N04-1M7L_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQM200N04-1M7L_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQM200N04-1M7L_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQM200N04-1M7L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQM200N04-1M7L_GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 200 A (Tc) 375W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,7mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	291 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	11168 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263-7
Gehäuse / Hülle	TO-263-7, D2PAK (6 Pins + Lasche)
Basis-Produktnummer	SQM200