
SQP100P06-9M3L_GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SQP100P06-9M3L_GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SQP100P06-9M3L_GE3 |
Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | P-Kanal 60 V 100 A (Tc) 187W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SQP100P06-9M3L_GE3 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 4,5V, 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 9,3mOhm bei 30A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 300 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 12010 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 187W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | Automobiltechnik | |
Qualifizierung | AEC-Q101 | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |

