TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQP100P06-9M3L_GE3

DigiKey-Teilenr.
SQP100P06-9M3L_GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SQP100P06-9M3L_GE3
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 60 V 100 A (Tc) 187W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SQP100P06-9M3L_GE3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
9,3mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
12010 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
187W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt.