Name: SQS850EN-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS850EN-T1_GE3TR-ND
Price: 1.47016 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQS850EN-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQS850EN-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQS850EN-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQS850EN-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQS850EN-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 12 A (Tc) 33W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 41 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2021 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 33W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 12 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 21,5mOhm bei 6,1A, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA	Basis-Produktnummer SQS850

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 4’042

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in CHF

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von Fr. 7.00 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)