SUD50N03-16P-E3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

SUD50N03-16P-E3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SUD50N03-16P-E3
DigiKey-Teilenr.	SUD50N03-16P-E3-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SUD50N03-16P-E3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V TO252
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 15A (Ta), 37A (Tc) 6,5W (Ta), 40,8W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15A (Ta), 37A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	16mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1150 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	6,5W (Ta), 40,8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	SUD50