Name: SUM110P08-11L-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM110P08-11L-E3TR-ND
Price: 4.9726 CHF
Availability: InStock

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SUM110P08-11L-E3
DigiKey-Teilenr.	SUM110P08-11L-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SUM110P08-11L-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SUM110P08-11L-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SUM110P08-11L-E3
Beschreibung	MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	30 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 80 V 110 A (Tc) 13,6W (Ta), 375W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SUM110P08-11L-E3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 270 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10850 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 13,6W (Ta), 375W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 110 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SUM110
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11,2mOhm bei 20A, 10V