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SUP50020E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SUP50020E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SUP50020E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 55 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 60 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,4mOhm bei 30A, 10V |
Herst. | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Serie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 128 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 375W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP023N08B-F102 | onsemi | 148 | FDP023N08B-F102OS-ND | Fr. 3.81000 | Ähnlich |
| TK100E06N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 43 | TK100E06N1S1X-ND | Fr. 3.38000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.26000 | Fr. 3.26 |
| 50 | Fr. 1.65920 | Fr. 82.96 |
| 100 | Fr. 1.50360 | Fr. 150.36 |
| 500 | Fr. 1.23114 | Fr. 615.57 |
| 1’000 | Fr. 1.14363 | Fr. 1’143.63 |
| 2’000 | Fr. 1.07007 | Fr. 2’140.14 |
| 5’000 | Fr. 1.02536 | Fr. 5’126.80 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.26000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.52406 |



