SIHP23N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SUP50020EL-GE3

DigiKey-Teilenr.
SUP50020EL-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SUP50020EL-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SUP50020EL-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,3mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
126 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
11113 pF @ 30 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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1Fr. 2.82000Fr. 2.82
10Fr. 2.11400Fr. 21.14
100Fr. 1.49550Fr. 149.55
500Fr. 1.35676Fr. 678.38
1’000Fr. 1.13985Fr. 1’139.85
2’000Fr. 1.10000Fr. 2’200.00
Standardverpackung des Herstellers
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