


SUP80090E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SUP80090E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SUP80090E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 28 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 150 V 128 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SUP80090E-GE3 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 7,5V, 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 9,4mOhm bei 30A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 95 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 3425 pF @ 75 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.12000 | Fr. 3.12 |
| 10 | Fr. 1.94200 | Fr. 19.42 |
| 100 | Fr. 1.49550 | Fr. 149.55 |
| 500 | Fr. 1.22632 | Fr. 613.16 |
| 1’000 | Fr. 1.16441 | Fr. 1’164.41 |
| 2’000 | Fr. 1.12451 | Fr. 2’249.02 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.12000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.37272 |




