Name: SUP85N10-10-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP85N10-10-GE3-ND
Price: 5.91307 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SUP85N10-10-GE3
DigiKey-Teilenr.	SUP85N10-10-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SUP85N10-10-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 85 A (Tc) 3,75W (Ta), 250W (Tc) Durchkontaktierung
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	85 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	10,5mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6550 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,75W (Ta), 250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	SUP85

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 5.47000	Fr. 5.47
50	Fr. 2.55800	Fr. 127.90
100	Fr. 2.54590	Fr. 254.59
500	Fr. 2.38444	Fr. 1’192.22
1’000	Fr. 2.38000	Fr. 2’380.00

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