NXPSC086506Q WeEn Semiconductors | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NXPSC086506Q
DigiKey-Teilenr.	NXPSC086506Q-ND
Hersteller	WeEn Semiconductors
Hersteller-Teilenummer	NXPSC086506Q
Beschreibung	DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 650 V 8A Durchkontaktierung TO-220AC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	WeEn Semiconductors
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	8A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.7 V @ 8 A
Geschwindigkeit	Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	230 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F	260pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AC
Betriebstemperatur - Übergang	175°C (max.)
Basis-Produktnummer	NXPSC

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 4.58000	Fr. 4.58
50	Fr. 2.41260	Fr. 120.63
100	Fr. 2.20270	Fr. 220.27
500	Fr. 1.83492	Fr. 917.46
1’000	Fr. 1.76000	Fr. 1’760.00

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