TO263-7
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

C3M0032120J1

DigiKey-Teilenr.
1697-C3M0032120J1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
C3M0032120J1
Beschreibung
1200V 32MOHM SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 68 A (Tc) 277W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
C3M0032120J1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
43mOhm bis 41,4A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,6V bei 11,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
111 nC @ 15 V
Vgs (Max.)
+15V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3424 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
277W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263-7
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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