TO263-7
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

C3M0045065J1

DigiKey-Teilenr.
1697-C3M0045065J1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
C3M0045065J1
Beschreibung
650V 45 M SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 47 A (Tc) 147W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
60mOhm bei 17,6A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,6V bei 4,84mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
61 nC @ 15 V
Vgs (Max.)
+19V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1621 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
147W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263-7
Gehäuse / Hülle
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100Fr. 5.89620Fr. 589.62
500Fr. 5.32000Fr. 2’660.00
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