C3M0280090J-TR
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
C3M0280090J-TR
C3M0280090J-TR

C3M0120090J

DigiKey-Teilenr.
1697-C3M0120090J-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
C3M0120090J
Beschreibung
SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 900 V 22 A (Tc) 83W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
C3M0120090J Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
155mOhm bei 15A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17.3 nC @ 15 V
Vgs (Max.)
+18V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
350 pF @ 600 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263-7
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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