


C3M0280090J | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | C3M0280090J-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | C3M0280090J |
Beschreibung | SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 900 V 11 A (Tc) 50W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | C3M0280090J Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 900 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 15V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 360mOhm bei 7,5A, 15V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,5V bei 1,2mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 9.5 nC @ 15 V | |
Vgs (Max.) | +18V, -8V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 150 pF @ 600 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 50W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-263-7 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 7.71000 | Fr. 7.71 |
| 50 | Fr. 4.24380 | Fr. 212.19 |
| 100 | Fr. 3.90980 | Fr. 390.98 |
| 500 | Fr. 3.32518 | Fr. 1’662.59 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 7.71000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 8.33451 |

