N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 1,92W (Ta), 34,7W (Tc) Durchkontaktierung TO-220CFM
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 1,92W (Ta), 34,7W (Tc) Durchkontaktierung TO-220CFM
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP65SL190DI

DigiKey-Teilenr.
5048-XP65SL190DI-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
XP65SL190DI
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 1,92W (Ta), 34,7W (Tc) Durchkontaktierung TO-220CFM
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 6,2A, 10V
Herst.
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
92.8 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3312 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
1,92W (Ta), 34,7W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220CFM
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 2.63000Fr. 2.63
50Fr. 1.31920Fr. 65.96
100Fr. 1.19210Fr. 119.21
500Fr. 1.03190Fr. 515.95
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