Produits GaN d'Infineon

Performances GaN supérieures

Pour un rendement maximal : circuits d'attaque de grille EiceDRIVER™ et HEMT CoolGaN™ d'Infineon

CoolGaN™, la technologie GaN d'Infineon est d'une qualité inégalée, renforcée par la fabrication en interne d'Infineon pour la stabilité de l'approvisionnement. Les produits CoolGaN™ offrent un rendement et une densité de puissance parmi les plus élevés du marché, ce qui est idéal pour les applications qui exigent des performances supérieures. Forte d'une longue expérience et d'un savoir-faire en matière d'applications, Infineon propose des solutions innovantes sur l'ensemble du spectre, allant des solutions système discrètes aux solutions système hautement intégrées.

 

Pourquoi choisir la technologie GaN d'Infineon ?

Feuille se transformant en cordon d'alimentation

Offre technologique complète :

Si + SiC + GaN

Icône de ruban bleu

Normes de qualité les plus élevées :

HEMT GaN le plus fiable du secteur

Globe avec nœuds interconnectés

Stabilité de l'approvisionnement :

Fabrication en interne

Cible en niveaux de gris

Couverture applicative :

Secteurs industriels, grand public et automobiles

Cerveau avec circuits sur l'un des côtés

Leadership en matière de propriété intellectuelle :

Plus de 650 brevets spécifiques au GaN

Icône de carte à circuit imprimé

Expertise système :

Commutateur + circuit d'attaque + circuit intégré de commande

Applications cibles :

  • Chargeurs/adaptateurs
  • Éclairage
  • Serveurs
  • Télécommunications
  • Téléviseurs/moniteurs
  • Énergie solaire
  • Entraînements de moteurs

 

Faire le bon choix – solutions discrètes ou IPS

Le graphique permet de déterminer si vous avez besoin d'une solution discrète flexible ou d'un système hautement intégré pour votre prochain projet de conception. L'offre CoolGaN™ propose le produit adapté à vos besoins.

  • Solutions discrètes
  • Solutions intégrées
  • Support de conception

Solution discrète : HEMT CoolGaN™ 600 V GIT à enrichissement + circuits intégrés d'attaque de grille EiceDRIVER™

Le transistor HEMT CoolGaN™ GIT d'Infineon constitue une technologie de transistor GaN (nitrure de gallium) très efficace pour la conversion de puissance sur une plage de tensions jusqu'à 600 V. Infineon a fait évoluer le concept d'enrichissement (e-mode) en produisant des volumes élevés de bout en bout. La qualité pionnière garantit les normes les plus strictes et offre la solution la plus fiable et la plus performante parmi tous les HEMT GaN du marché.

Fonctionnalités clés

  • Hautes performances
  • Boîtiers CMS refroidis par le haut et le bas
  • Haut rendement et densité de puissance élevée
  • Excellent comportement thermique dans les applications

Avantages clés

  • Concept d'enrichissement unique en son genre
  • Excellent pour la commutation douce et dure
  • Optimisation de la mise sous et hors tension
  • Pas de recouvrement inverse Qrr
  • Pas de décalage RDS(on)
  • Excellente stabilité Vth
  • Meilleur facteur de mérite
  • Durée de vie plus longue prouvée
Télécharger le livre blanc

 

Offre de produits :

Boîtier RDS(ON) DSO-20-85 avec refroidissement par le bas
DSO-20-85 avec refroidissement par le bas		 DSO-20-87 avec refroidissement par le haut
DSO-20-87 CoolGaN		 HSOF-8-3 TO à souder
HSOF-8-3 TO à souder		 LSON-8-1 DFN 8x8
CoolGaN 8x8		 TSON-8-3 ThinPAK 5x6
TSON-8-3 ThinPAK 5x6
70 mΩ IGO60R070D1 IGOT60R070D1 IGT60R070D1 IGLD60R070D1
190 mΩ IGLD60R190D1 IGLR60R190D1
260 mΩ IGLR60R260D1
340 mΩ IGLR60R340D1

 

 

Solutions d'attaque de grille :

Les HEMT à enrichissement CoolGaN™ GIT d'Infineon sont faciles à entraîner. Téléchargez ce livre blanc pour découvrir diverses solutions d'entraînement, allant du circuit d'attaque à couplage RC (résistance-capacité) standard à un nouveau concept d'entraînement différentiel utilisant des circuits intégrés d'attaque de grille dédiés. Dans les topologies en demi-pont, une configuration hybride combinant des circuits d'attaque isolés et non isolés semble constituer une alternative intéressante. Des exemples d'applications pratiques et des schémas de circuits illustrent l'article.

Circuits d'attaque de grille standard pour HEMT CoolGaN™ GIT à enrichissement

Famille EiceDRIVER™
 Numéro de référence Canaux de sortie Technologie et classe d'isolement Cas d'utilisation Boîtier
2EDi 2EDF7275F 2 canaux Isolé Fonctionnel Entraînement de deux GaN (demi-pont, diagonal, parallèle) DSO-16, 3,81 mm
2EDF8275F
2EDF7275K LGA-13
2EDS7165H Renforcé DSO-16, 7,62 mm
2EDS8265H
2EDR7259X DSO-14, 7,62 mm
2EDR8259X
2EDB7259Y Protection simple DSO-14, 3,81 mm
2EDB8259Y
1EDB 1EDB7275F 1 canal Isolé Protection simple Entraînement du GaN haut potentiel DSO-8, 3,81 mm
1EDB8275F
1EDN-TDI 1EDN7550B 1 canal Entrées véritablement différentielles (TDI) Non isolé Entraînement du GaN à source Kelvin bas potentiel SOT23
1EDN8550B 6 broches

Circuits intégrés d'attaque de grille dédiés pour HEMT CoolGaN™ GIT à enrichissement

Famille EiceDRIVER™
 Numéro de référence Canaux de sortie Technologie Cas d'utilisation Boîtier
1EDi 1EDS5663H 1 canal Isolé Entraînement des HEMT à enrichissement CoolGaN™ GIT haut potentiel ou bas potentiel avec des pertes par conduction inverse minimisées et une « première impulsion » sûre DSO-16, 7,62 mm renforcé
1EDF5673F DSO-16, 3,81 mm HVI fonctionnel
1EDF5673K LGA13 5x5 mm LV fonctionnel

GaN intégré : IPS (étage de puissance intégré) demi-pont CoolGaN™ et commutateur unique

L'étage de puissance intégré (IPS) CoolGaN™ d'Infineon combine la robustesse de la structure des transistors à injection de grille intégrés à drain hybride (HD-GIT) avec la technologie de précision des circuits d'attaque de grille intégrés EiceDRIVER™ d'Infineon. Il en résulte une empreinte physique réduite, une densité de puissance accrue et un rendement énergétique supérieur, ce qui en fait une excellente alternative aux semi-conducteurs en silicium. L'IPS CoolGaN™ d'Infineon offre en outre l'avantage d'une fréquence de commutation plus rapide et d'une flexibilité de conception accrue. Pour les ingénieurs, cela signifie des systèmes plus écoénergétiques, une mise en œuvre simplifiée et une meilleure utilisation de l'espace carte.

 

Fonctionnalités clés

  • Bloc de construction d'entrée numérique et de sortie d'alimentation
  • Comportement de commutation configurable par l'application
  • Synchronisation très précise et stable
  • Boîtier QFN-28/21 de 8 mm x 8 mm thermiquement amélioré

Avantages clés

  • Facilité d'entraînement avec entrée PWM numérique
  • Nomenclature système réduite
  • Configurabilité du chemin de grille avec boucle à faible inductance sur le circuit imprimé
  • Réglage d'un temps de récupération court pour un rendement maximal du système
  • Petit boîtier pour des conceptions de système compactes

 

Formation en ligne : Avantages des IPS CoolGaN™ pour les chargeurs et adaptateurs haute densité

L'IPS CoolGaN™ est disponible en configuration d'étage de puissance en demi-pont (versions de 140 mΩ – 500 mΩ) ou en configuration monocanal (versions de 100 mΩ – 270 mΩ) avec des circuits d'attaque de grille dédiés dans un boîtier QFN (8x8 mm) thermiquement amélioré.

Voir la formation en ligne

Offre de produits :

Boîtier RDS(ON) Demi-pont CoolGaN™ IPS CoolGaN™ à commutateur unique
100 mΩ   IGI60F100A1L
140 mΩ IGI60F1414A1L IGI60F140A1L
200 mΩ IGI60F2020A1L IGI60F200A1L
270 mΩ IGI60F2727A1L IGI60F270A1L
500 mΩ IGI60F5050A1L  

 

Support de conception

EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN

Carte d'évaluation de gestion de l'alimentation

Carte d'évaluation en demi-pont haute fréquence avec EiceDRIVER™ GaN.

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EVAL_HB_GANIPS_G1

Carte d'évaluation pour IPS CoolGaN™ demi-pont haute fréquence 600 V avec IGI60F1414A1L.

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EVAL_HB_PARALLELGAN

Évaluation de la mise en parallèle de transistors HEMT CoolGaN™ 600 V dans des configurations en demi-pont pour les applications à puissance plus élevée.

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