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Eccellenti prestazioni GaN

Per la massima efficienza: HEMT CoolGaN™ e gate driver EiceDRIVER™ di Infineon

CoolGaN™, la tecnologia GaN di Infineon, non ha rivali in termini di qualità ed è supportata dalla produzione interna di Infineon per la stabilità della fornitura. I prodotti CoolGaN™ offrono i massimi di livelli di efficienza e densità di potenza del mercato e sono pertanto ideali per le applicazioni che richiedono prestazioni eccellenti. Grazie alla sua vasta esperienza e al suo know-how applicativo, Infineon fornisce soluzioni innovative per l'intero spettro, dalle soluzioni discrete a quelle di sistema altamente integrate.

Perché il GaN di Infineon?

Icona foglia che diventa un cavo di alimentazione

Offerta tecnologica completa:

Si + SiC + GaN

Massimi standard di qualità:

L'HEMT GaN più affidabile del settore

Stabilità della fornitura:

Produzione interna

Copertura applicativa:

Settori industriale, consumer e automotive

Leadership in materia di proprietà intellettuale:

Oltre 650 brevetti specifici per il GaN

Competenza a livello di sistema:

Interruttore + driver + CI di controllo

Applicazioni di destinazione:

Caricatore/adattatore
Illuminazione
Server
Telecomunicazioni
TV/monitor
Solare
Comandi di motori

Scegli la soluzione giusta per te: discreta o IPS.

Consulta la tabella per scoprire se per il tuo prossimo progetto hai bisogno di una soluzione discreta flessibile o di un sistema altamente integrato. L'offerta CoolGaN™ fornisce il prodotto giusto per le tue esigenze.

Soluzioni discrete
Soluzioni integrate
Supporto alla progettazione

Soluzione discreta: HEMT e-mode GIT 600 V CoolGaN™ + gate driver in CI EiceDRIVER™

HEMT GIT CoolGaN™ di Infineon è una tecnologia dei transistor al nitruro di gallio ad alta efficienza per la conversione di potenza nell'intervallo di tensione fino a 600 V. Infineon ha portato alla maturità il concetto di e-mode con una produzione end-to-end in volumi elevati. La qualità pionieristica assicura gli standard più elevati e offre la soluzione più affidabile e performante tra tutti gli HEMT GaN presenti sul mercato.

Caratteristiche principali

Alte prestazioni
Contenitori SMD con raffreddamento sul lato superiore e inferiore
Massima efficienza e densità di potenza
Miglior comportamento termico nelle applicazioni

Vantaggi principali

Soluzione unica di concetto normalmente off
Idoneo per hard-switching e soft-switching
Accensione e spegnimento ottimizzati
Zero recupero inverso Q_rr
Immunità alle variazioni diRDSon
Eccellente stabilità di Vth
Migliori cifre di merito
Maggiore durata comprovata

Scarica whitepaper

Offerta di prodotti:

Contenitore RDSon	DSO-20-85 raffreddamento in basso	DSO-20-87 raffreddamento in alto	HSOF-8-3 TO-LL	LSON-8-1 DFN 8x8	TSON-8-3 ThinPAK 5x6
70 mΩ	IGO60R070D1	IGOT60R070D1	IGT60R070D1	IGLD60R070D1
190 mΩ				IGLD60R190D1	IGLR60R190D1
260 mΩ					IGLR60R260D1
340 mΩ					IGLR60R340D1

Soluzioni di pilotaggio del gate:

Gli HEMT e-mode GIT CoolGaN™ di Infineon sono facili da pilotare. Scarica questo whitepaper per scoprire varie soluzioni di pilotaggio, dal driver standard con accoppiamento RC a un nuovo concetto di pilotaggio differenziale che utilizza gate driver in CI dedicati. Nelle topologie a semiponte, una configurazione ibrida che combina driver isolati e non isolati potrebbe essere un'alternativa interessante. Esempi di applicazioni pratiche e schemi di circuiti completano il documento.

Gate driver standard per HEMT e-mode GIT CoolGaN™

Famiglia EiceDRIVER™	Codice componente	Canali di uscita	Tecnologia e classe di isolamento		Caso d'uso	Contenitore
2EDi	2EDF7275F	2 canali	Isolato	Funzionale	Pilotaggio di due GaN (semiponte, diagonale, parallelo)	DSO-16 150 mil
	2EDF8275F					DSO-16 150 mil
	2EDF7275K					LGA-13
	2EDS7165H			Rinforzato		DSO-16 300 mil
	2EDS8265H					DSO-16 300 mil
	2EDR7259X					DSO-14 300 mil
	2EDR8259X					DSO-14 300 mil
	2EDB7259Y			Protezione singola		DSO-14 150 mil
	2EDB8259Y			Protezione singola		DSO-14 150 mil
1EDB	1EDB7275F	1 canale	Isolato	Protezione singola	Pilotaggio GaN high-side	DSO-8 150 mil
1EDB	1EDB8275F	1 canale	Isolato	Protezione singola	Pilotaggio GaN high-side	DSO-8 150 mil
1EDN-TDI	1EDN7550B	1 canale	Ingressi realmente differenziali (TDI)	Non isolato	Pilotaggio GaN sorgente Kelvin low-side	SOT23
1EDN-TDI	1EDN8550B	1 canale	Ingressi realmente differenziali (TDI)	Non isolato	Pilotaggio GaN sorgente Kelvin low-side	6 pin

Gate driver in CI dedicati per HEMT e-mode GIT CoolGaN™

Famiglia EiceDRIVER™	Codice componente	Canali di uscita	Tecnologia	Caso d'uso	Contenitore
1EDi	1EDS5663H	1 canale	Isolato	Pilotaggio HEMT e-mode GIT CoolGaN™ low-side o high-side con perdite di conduzione inversa ridotte al minimo e "primo impulso" sicuro	DSO-16 300 mil rinforzato
	1EDF5673F				DSO-16 150 mil HVI funzionale
	1EDF5673K				LGA13 5x5mm LV funzionale

GaN integrato: semiponte e interruttore singolo a stadio di potenza integrato (IPS) CoolGaN™

Lo stadio di potenza integrato (IPS) CoolGaN™ di Infineon combina la robustezza della struttura HD-GIT (transistor a iniezione di gate a drain ibrido) con la precisa tecnologia integrata di gate driver EiceDRIVER™ di Infineon. Ciò si traduce in un ingombro fisico più compatto e in densità di potenza ed efficienza energetica maggiori, che ne fanno un'ottima alternativa ai semiconduttori al silicio. L'IPS CoolGaN™ di Infineon offre anche il vantaggio di una frequenza di commutazione più rapida e di una maggiore flessibilità di progettazione. Per gli ingegneri, questo significa sistemi più efficienti dal punto di vista energetico, implementazione semplificata e migliore utilizzo dello spazio sulla PCB.

Caratteristiche principali

Componente costitutivo a ingresso digitale e uscita di potenza
Comportamento di commutazione configurabile tramite applicazione
Temporizzazione altamente precisa e stabile
Contenitore QFN-28/21 8 x 8 mm dal profilo termico ottimizzato

Vantaggi principali

Facile da pilotare con ingresso PWM digitale
Distinta base del sistema contenuta
Configurabilità del percorso del gate con anello a bassa induttanza sulla PCB
Impostazione di tempi morti brevi per massimizzare l'efficienza del sistema
Contenitore di dimensioni ridotte per progetti di sistemi compatti

Formazione online: Vantaggi dell'IPS CoolGaN™ per caricatori e adattatori ad alta densità

L'IPS CoolGaN™ è disponibile in configurazione di stadio di potenza a semiponte (140mΩ - 500 mΩ) o in configurazione a canale singolo (100mΩ - 270 mΩ) con gate driver dedicati in un contenitore QFN (8x8 mm) dal profilo termico ottimizzato.

Guarda l'eLearning

Offerta di prodotti:

Contenitore RDSon	Semiponte CoolGaN™	Interruttore singolo IPS CoolGaN™
100 mΩ		IGI60F100A1L
140 mΩ	IGI60F1414A1L	IGI60F140A1L
200 mΩ	IGI60F2020A1L	IGI60F200A1L
270 mΩ	IGI60F2727A1L	IGI60F270A1L
500 mΩ	IGI60F5050A1L