Überlegene GaN-Performance

Für maximalen Wirkungsgrad: CoolGaN™-HEMTs und EiceDRIVER™-Gate-Treiber von Infineon

CoolGaN™, die GaN-Technologie von Infineon, ist unübertroffen in ihrer Qualität und wird durch die hauseigene Fertigung von Infineon für eine stabile Versorgung gestützt. Die CoolGaN™-Produkte bieten den höchsten Wirkungsgrad und die höchste Leistungsdichte auf dem Markt und sind damit ideal für Anwendungen, die eine überragende Performance erfordern. Mit umfassender Erfahrung und Anwendungs-Know-how bietet Infineon innovative Produktlösungen über das gesamte Spektrum von diskreten bis hin zu hochintegrierten Systemlösungen.

Gründe für GaN-Technologie von Infineon

Umfassendes Technologie-Angebot:

Si + SiC + GaN

Höchste Qualitätsstandards:

Der zuverlässigste GaN-HEMT der Branche

Versorgungssicherheit:

Eigene Herstellung

Anwendungsabdeckung:

Industrie-, Verbraucher- und Automobiltechnik

Gehirn mit Schaltkreisen auf einer Seite

IP-Führerschaft:

Mehr als 650 GaN-spezifische Patente

Systemkompetenz:

Schalter, Treiber und Steuer-IC

Zielanwendungen

Ladegeräte/Adapter
Beleuchtung
Server
Telekommunikation
TV/Monitore
Solaranwendungen
Motorantrieben

Wählen, was richtig ist – diskret oder IPS.

Der Grafik ist zu entnehmen, ob ein Design eine flexible, diskrete Lösung oder ein hochintegriertes System benötigt. Das CoolGaN™-Angebot bietet das richtige Produkt für sämtliche Anforderungen.

Diskrete Lösungen
Integrierte Lösungen
Entwicklungsunterstützung

Diskrete Lösung: 600-V-CoolGaN™-GIT-E-Modus-HEMTs und EiceDRIVER™-Gate-Treiber-ICs

Der CoolGaN™-GIT-HEMT von Infineon nutzt hocheffiziente Galliumnitrid-Transistor-Technologie für die Leistungswandlung im Spannungsbereich bis 600 V. Infineon hat das E-Modus-Konzept mit durchgehender Massenproduktion zur Reife gebracht. Die bahnbrechende Qualität gewährleistet die höchsten Standards und bietet die zuverlässigste und leistungsstärkste Lösung unter allen GaN-HEMTs auf dem Markt.

Hauptmerkmale

Hohe Performance
Ober- und unterseitig gekühlte SMD-Gehäuse
Höchste Effizienz und Leistungsdichte
Bestes thermisches Verhalten in Anwendungen

Hauptvorteile

Einzigartiges Anreicherungskonzept
Beste Eignung für hart und weich schaltende Anwendungen
Ein- und Ausschaltoptimierung
Keine Sperrverzögerungs-Q_rr
Keine R_DS(on)-Verschiebung
Ausgezeichnete Stabilität
Bester Gütefaktor
Längere Lebensdauer nachgewiesen

Hintergrundartikel herunterladen

Produktangebot:

Gehäuse R_DS(ON)	DSO-20-85 mit unterseitiger Kühlung	DSO-20-87 mit oberseitiger Kühlung	HSOF-8-3 TO unbedrahtet	LSON-8-1 DFN 8x8	TSON-8-3 ThinPAK 5x6
70 mΩ	IGO60R070D1	IGOT60R070D1	IGT60R070D1	IGLD60R070D1
190 mΩ				IGLD60R190D1	IGLR60R190D1
260 mΩ					IGLR60R260D1
340 mΩ					IGLR60R340D1

Gate-Treiber-Lösungen:

Die CoolGaN™-GIT-E-Modus-HEMTs von Infineon lassen sich einfach ansteuern. In diesem Hintergrundartikel werden verschiedene Treiberlösungen beschrieben, vom standardmäßigen RC-gekoppelten Treiber bis hin zu einem neuen differenziellen Treiberkonzept, das dedizierte Gate-Treiber-ICs nutzt. Bei Halbbrücken-Topologien könnte eine hybride Konfiguration, die isolierte und nicht isolierte Treiber kombiniert, eine interessante Alternative darstellen. Praktische Anwendungsbeispiele und Schaltbilder ergänzen den Artikel.

Standard-Gate-Treiber für CoolGaN™-GIT-E-Modus-HEMTs

EiceDRIVER™- Familie	Teilenummer	Ausgangskanäle	Technologie und Isolationsklasse		Anwendungsfall	Paket
2EDi	2EDF7275F	2 Kanäle	Isoliert	Funktional	Ansteuerung von zwei GaN (Halbbrücke, diagonal, parallel)	DSO-16, 3,81 mm
	2EDF8275F					DSO-16, 3,81 mm
	2EDF7275K					LGA-13
	2EDS7165H			Verstärkt		DSO-16, 7,62 mm
	2EDS8265H					DSO-16, 7,62 mm
	2EDR7259X					DSO-14, 7,62 mm
	2EDR8259X					DSO-14, 7,62 mm
	2EDB7259Y			Einfacher Schutz		DSO-14, 3,81 mm
	2EDB8259Y			Einfacher Schutz		DSO-14, 3,81 mm
1EDB	1EDB7275F	1 Kanal	Isoliert	Einfacher Schutz	Ansteuerung von High-Side-GaN	DSO-8, 3,81 mm
1EDB	1EDB8275F	1 Kanal	Isoliert	Einfacher Schutz	Ansteuerung von High-Side-GaN	DSO-8, 3,81 mm
1EDN-TDI	1EDN7550B	1 Kanal	Echte differenzielle Eingänge (TDI)	Nicht isoliert	Ansteuerung von Low-Side-Kelvin-Source-GaN	SOT23
1EDN-TDI	1EDN8550B	1 Kanal	Echte differenzielle Eingänge (TDI)	Nicht isoliert	Ansteuerung von Low-Side-Kelvin-Source-GaN	6-polig

Dedizierte Gate-Treiber ICs für CoolGaN™-GIT-E-Modus-HEMTs

EiceDRIVER™- Familie	Teilenummer	Ausgangskanäle	Technologie	Anwendungsfall	Paket
1EDi	1EDS5663H	1 Kanal	Isoliert	Ansteuerung von Low-Side- oder High-Side-CoolGaN™-GIT-E-Modus-HEMTs mit minimalen Rückwärtsleitungsverlusten und sicherem „ersten Impuls“	DSO-16, 7,62 mm verstärkt
	1EDF5673F				DSO-16 3,81 mm HVI funktionell
	1EDF5673K				LGA13 5 x 5 mm LV funktionell

Integrierte GaN: Integrierte CoolGaN™-Leistungsstufe mit Halbbrücke und einfachem Schalter

Die integrierte CoolGaN™-Leistungsstufe (Integrated Power Stage, IPS) von Infineon kombiniert die robuste Struktur von Hybrid-Drain-eingebetteten Gate-Injection-Transistoren (HD-GIT) mit der präzisen Technologie der integrierten EiceDRIVER™-Gate-Treiber von Infineon. Das führt zu einem kleineren physischen Footprint, einer höheren Leistungsdichte und einem höheren Wirkungsgrad und damit zu einer hervorragenden Alternative zu Silizium-Halbleitern. Die CoolGaN™-IPS von Infineon bietet darüber hinaus den Vorteil einer höheren Schaltfrequenz und einer größeren Designflexibilität. Für die Entwicklung bedeutet das energieeffizientere Systeme, eine vereinfachte Implementierung und eine bessere Ausnutzung des Platzes auf der Platine.

Hauptmerkmale

Baustein mit Digitaleingang und Leistungsausgang
Für Anwendung konfigurierbares Schaltverhalten
Äußerst genaues und stabiles Timing
Thermisch verbessertes QFN-28/21-Gehäuse mit 8 mm x 8 mm

Hauptvorteile

Einfache Ansteuerung mit digitalem PWM-Eingang
Niedrige System-Materialkosten
Konfigurierbarkeit des Gate-Pfads mit niederinduktiver Schleife auf Platine
Einstellung einer kurzen Totzeit, um Wirkungsgrad des Systems zu maximieren
Kleine Gehäuse für kompakte Systemdesigns

Online-Schulung: Vorteile von CoolGaN™-IPS für hochdichte Ladegeräte und Adapter

Die CoolGaN™-IPS ist in einer Halbbrücken-Leistungsstufenkonfiguration (erhältlich mit 140 mΩ bis 500 mΩ) oder einer Einzelkanal-Konfiguration (erhältlich mit 100 mΩ bis 270 mΩ) mit dedizierten Gate-Treibern in einem thermisch verbesserten QFN-Gehäuse (8 mm x 8 mm) verfügbar.

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Produktangebot

Gehäuse R_DS(ON)	CoolGaN™-Halbbrücke	CoolGaN™-IPS-Einzelschalter
100 mΩ		IGI60F100A1L
140 mΩ	IGI60F1414A1L	IGI60F140A1L
200 mΩ	IGI60F2020A1L	IGI60F200A1L
270 mΩ	IGI60F2727A1L	IGI60F270A1L
500 mΩ	IGI60F5050A1L