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IRFP254PBF
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SIHG22N60E-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHG22N60E-GE3-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIHG22N60E-GE3
Description
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) Trou traversant TO-247AC
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SIHG22N60E-GE3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
21 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
180mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1920 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
227W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247AC
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
SIHG22
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 3.94000Fr. 3.94
25Fr. 2.37040Fr. 59.26
100Fr. 2.20300Fr. 220.30
500Fr. 1.98124Fr. 990.62
1’000Fr. 1.60000Fr. 1’600.00
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 3.94000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 4.25914