Name: IPT029N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT029N08N5ATMA1TR-ND
Price: 4.23752 CHF
Availability: OutOfStock

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IPT029N08N5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPT029N08N5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPT029N08N5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPT029N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT029N08N5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPT029N08N5ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	52A (Ta), 169A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,9mOhm bei 150A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 108µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6500 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	168W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN
Basis-Produktnummer	IPT029

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 3.92000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 4.23752

IPT029N08N5ATMA1