SIHP23N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SUP57N20-33-E3

DigiKey-Teilenr.
SUP57N20-33-E3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SUP57N20-33-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 57 A (Tc) 3,75W (Ta), 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SUP57N20-33-E3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
33mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5100 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,75W (Ta), 300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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