CMOS-DDR2-SDRAM AS4C128M16D2 mit hoher Geschwindigkeit

Der synchrone Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM AS4C128M16D2 von Alliance Memory mit doppelter Datenrate 2 (DDR2 SDRAM) verfügt über eine hohe Dichte von 2 Gb in einem 84-poligen FBGA-Gehäuse mit 8 mm x 12,5 mm x 1,2 mm. Der AS4C128M16D2 bildet einen zuverlässigen, pinkompatiblen Direktersatz für eine Reihe ähnlicher Lösungen für Produkte in der Automobiltechnik, Industrie, Verbraucherelektronik, Netzwerktechnik und Medizintechnik, die eine hohe Speicherbandbreite erfordern.

Merkmale

• 84-poliges FBGA-Gehäuse mit 8 mm x 12,5 mm x 1,2 mm
• Kommerzieller Temperaturbereich von 0 °C bis +85 °C und industrieller Temperaturbereich von -40 °C bis +95 °C
• Intern konfiguriert als acht Bänke x 512 KWords x 16 Bit mit synchroner Schnittstelle
• Betrieb mit einzelner Versorgung von +1,8 V (±0,1 V)
• Schnelle Taktrate von 400 MHz und Datenrate von 800 Mbit/s/Pin
• Programmierbare Lese- oder Schreib-Burst-Längen von 4 oder 8
• Auto-Vorladefunktion bietet selbstständig ausgelöstes Vorladen von Zeilen, das am Ende der Burst-Sequenz initiiert wird
• Benutzerfreundliche Aktualisierungsfunktionen umfassen Auto- oder Self-Refresh
• Programmierbares Modus-Register ermöglicht System, geeignetste Modi zur Maximierung der Performance zu wählen
• RoHS-konform