Die synchronen Highspeed-CMOS-DRAM-Speicher mit doppelter Datenrate (DDR2 SDRAM) AS4C16M16D2, AS4C32M16D2, AS4C64M8D2, AS4C64M16D2, AS4C128M8D2 und AS4C128M16D2 von Alliance Memory sind verfügbar in Größen von 256 MB, 512 MB, 1 GB oder 2 GB in 60-poligen FBGA-Gehäusen mit 8 x 10 x 1,2 mm und 84-poligen FBGA-Gehäusen mit 8 x 12,5 x 1,2 mm. Als ideale Wahl für eine Palette von Produkten, die eine hohe Speicherbandbreite erfordern, bilden diese Komponenten einen zuverlässigen, pinkompatiblen Direktersatz für eine Reihe ähnlicher Lösungen.
| Merkmale und Vorteile |
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- Erhältlich für drei Temperaturbereiche:
- Kommerziell (0 °C bis +85 °C)
- Industriell (-40 °C bis +95 °C)
- Automobiltechnik (-40 °C bis +105 °C)
- Mit synchroner Schnittstelle
- Programmierbare Lese- oder Schreib-Burst-Längen von 4 oder 8
- Auto-Vorladefunktion bietet selbstständig ausgelöstes Vorladen von Zeilen, das am Ende der Burst-Sequenz initiiert wird
- Betrieb mit Einzelspannungsversorgung von +1,8 V (±0,1 V)
- Blei(Pb)- und halogenfrei
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- Intern konfiguriert als vier Bänke zu 8 M Words x 16 Bit (AS4C32M16D2), acht Bänke zu 8 M x 16 Bit (AS4C64M16D2), 16 M x 8 Bit (AS4C128M8D2) und 16 M x 16 Bit (AS4C128M16D2)
- Benutzerfreundliche Aktualisierungsfunktionen, einschl. Auto- oder Self-Refresh
- Programmierbares Modus-Register ermöglicht dem System die Wahl der bestgeeigneten Modi zur Leistungsmaximierung
- Schnelle Taktrate von 400 MHz
- Datenrate von 800 Mbit/s je Pin
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| Anwendungen |
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- Automobiltechnik, Industrie, Unterhaltungselektronik und Netzwerktechnik
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