Hochgeschwindigkeits-CMOS-SDRAM

Alliance Memory erweitert seine 64-M- und 128-M-SDRAM-Baureihen um den AS4C2M32S mit 2 M x 32 und den AS4C4M32S mit 4 M x 32. Die synchronen Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM (SDRAM) werden im 90-poligen TFBGA-Gehäuse mit 8 mm x 13 mm x 1,2 mm und im 86-poligen Kunststoff-TSOP-II-Gehäuse (10,16 mm) angeboten. Die Komponenten bilden einen zuverlässigen, pinkompatiblen Direktersatz für eine Reihe ähnlicher Lösungen in Produkten, die eine hohe Speicherbandbreite erfordern.

Merkmale

• Schnelle Zugriffszeit nach Taktimpuls von bis zu 5,4 ns
• Schnelle Taktraten von 143 MHz und 166 MHz
• Kommerzieller Betriebstemperaturbereich von 0 °C bis 70 °C
• Betrieb mit einzelner Spannungsversorgung von +3,3 V (±0,3 V)
• Programmierbare Lese- oder Schreib-Burst-Längen von 1, 2, 4, 8 oder volle Seite, mit Burst-Abbruchoption
• Auto-Vorladefunktion bietet selbstständig ausgelöstes Vorladen von Zeilen, das am Ende der Burst-Sequenz initiiert wird
• Benutzerfreundliche Aktualisierungsfunktionen umfassen Auto- oder Self-Refresh
• Programmierbares Modus-Register ermöglicht System, geeignetste Modi zur Maximierung der Performance zu wählen
• Blei- und halogenfrei

Anwendungen

• Industrie
• Telekommunikation
• Verbraucherprodukte