x32-Highspeed-CMOS-SDRAM

Die synchronen Highspeed-CMOS-DRAM(SDRAM)-Speicher mit 2 M x 32 (AS4C2M32SA-6TIN und AS4C2M32S-6BIN), 4 M x 32 (AS4C4M32SA-6TIN und AS4C4M32S-6BIN) und 8 M x 32 (AS4C8M32S-6TIN und AS4C8M32S-6BIN) von Alliance Memory zeichnen sich aus durch einen industriellen Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C. Diese Komponenten bilden einen zuverlässigen, pinkompatiblen Direktersatz für eine Reihe ähnlicher Lösungen in Produkten, die eine hohe Speicherbandbreite erfordern.

Merkmale und Vorteile

• Erhältlich im 90-poligen TFBGA-Gehäuse mit 8 x 13 x 1,2 mm
  
  • Komponenten mit 2 M x 32 und 4 M x 32 sind auch im 86-poligen Kunststoff-TSOP-II-Gehäuse (10,16 mm) erhältlich
  • Komponenten mit 8 M x 32 sind auch im 54-poligen TSOP-II-Gehäuse erhältlich
• Erhältlich mit kommerziellem und industriellem Betriebstemperaturbereich:
  
  • 0 °C bis 70 °C (AS4C2M32SA-6 und 7TCN/AS4C4M32SA-6 sowie 7TCN/AS4M32S-6BIN und AS4C8M32S-7TCN/AS4C8M32S-7BCN)
  • -40 °C bis +85 °C (AS4C2M32SA-6TIN/AS4C2M32S-6BIN, AS4C4M32SA-6TIN/AS4C4M32S-6BIN und AS4C8M32S-6TIN/AS4C8M32S-6BIN)
• Schnelle Zugriffszeit nach Taktimpuls: bis zu 5,4 ns
• Schnelle Taktraten von 143 MHz und 166 MHz (8 M x 32, 4 M x 32 und 2 M x 32)
• Programmierbare Lese- oder Schreib-Burst-Längen von 1, 2, 4, 8 Zeilen oder volle Seite, mit Burst-Abbruchoption
• Auto-Vorladefunktion bietet selbstständig ausgelöstes Vorladen von Zeilen, das  am Ende der Burst-Sequenz initiiert wird
• Benutzerfreundliche Aktualisierungsfunktionen umfassen Auto- oder Self-Refresh
• Programmierbares Modus-Register ermöglicht dem System die Wahl der bestgeeigneten Modi zur Maximierung der Performance

Anwendungen

• Industrie
• Gewerbe
• Medizintechnik
• Telekommunikation
• Netzwerktechnik