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Evaluierungskarte EPC9201 für GaN-Halbbrücken
Die Entwicklungskarte von EPC ist für die Evaluierung bei niedriger Umgebungstemperatur und Konvektionskühlung vorgesehen
Die Entwicklungskarte von EPC mit den Abmessungen 11 mm x 12 mm enthält zwei Anreicherungs(eGaN®)-Feldeffekttransistoren (FETs), die in einer Halbbrückenkonfiguration mit einer Onboard-LM5113-Gate-Ansteuerung von Texas Instruments angeordnet sind. Der Zweck dieser Entwicklungskarten ist es, den Prozess der Evaluierung zu vereinfachen, indem das Layout optimiert wird und alle kritischen Komponenten auf einer einzigen Platine untergebracht werden, die leicht an jeden vorhandenen Konverter angeschlossen werden kann.
Die Erweiterung mit Kühlkörper und erzwungener Luftkühlung kann den Nennstrom für solche Komponenten deutlich erhöhen, aber es muss darauf geachtet werden, dass die absolute maximale Chip-Temperatur von 150 °C nicht überschritten wird.
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EPC9201 GaN Half Bridge Eval Board
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Embedded | Verwendetes IC / Teil | Verfügbare Menge | Preis | ||
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 |  | EPC9201 | EVAL BOARD FOR EPC2015 | Nein | EPC2015 | 0 - Sofort | See Page for Pricing | Details anzeigen |
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