1.200-V-TRENCHSTOP™-MOSFETs IGBT7

Die 7. Generation der 1.200-V-TRENCHSTOP^™-IGBTs von Infineon Technologies setzt Maßstäbe in der Welt der diskreten IGBT- und Diodentechnologie. Dieses einzigartige diskrete Angebot bietet einen hohen Nennstrom von bis zu 140 A in vier verschiedenen Gehäusetypen mit einem im Vergleich zu früheren Generationen um 50 % niedrigeren VCE(sat)-Leitungsparameter und bis zu 84 % geringeren Schaltverlusten. Sie bieten von Haus aus eine einfache elektromagnetische Entstörung und eine höhere Zuverlässigkeit bei Anwendungen mit rauen Bedingungen (einschließlich HV-H3TRB und Robustheit gegenüber kosmischer Strahlung). Zum ersten Mal überhaupt ist diese Technologie jetzt für den Markt der diskreten 1.200-V-IGBTs verfügbar. Die komplette Serie umfasst die Baureihen H7, S7 und T7 mit optimierter Performance für spezifische Anwendungen.

Baureihe S7: Das Sortiment der 1.200-V-TRENCHSTOP-IGBT7 S7 stellt die überlegene Option für alle industriellen Anwendungen dar, die Kurzschlussfähigkeit/Robustheit erfordern. Der Benchmark-Wirkungsgrad und die Kurzschlussfestigkeit der diskreten Lösungen sind mindestens 10 % niedriger als bei früheren Generationen. Ausgewählte Komponenten verfügen über sehr weich schaltende, voll spezifizierte EC7-Dioden (emittergesteuert) im Gehäuse, die eine deutlich reduzierte VCE(sat)-IGBT-Sättigung und eine niedrige Q_rr bieten. Diese Baureihe zeichnet sich durch eine überragende Steuerbarkeit und Kurzschlussfestigkeit aus und setzt damit neue Maßstäbe für herkömmliche IGBT-Komponenten.

Baureihe H7: Das diskrete 1.200-V-IGBT-Bauelement nutzt einen TRENCHSTOP IGBT7 H7 in Kombination mit schnellen emittergesteuerten EC7-Diodentechnologien in einem Gehäuse, um herausragende spezifische Leitungs- und Schaltverluste in Verbindung mit Robustheit für raue Bedingungen sowie ein einzigartiges Portfolio mit hohen Nennströmen von 40 A bis 140 A in einem TO-247-Gehäuse zu bieten. Die daraus resultierende Performance trägt dazu bei, die steigenden Anforderungen an moderne schnell schaltende Wechselrichtersysteme in der Industrie zu erfüllen.

Bestehende Baureihe T7: Diese 650-V-Baureihe wurde als erste mit der neuesten Mikromuster-Trench-Technologie konstruiert, die eine unvergleichliche Kontrolle und Performance bietet und eine Freilaufdiode integriert, die zu einer erheblichen Verlustreduzierung, einem verbesserten Wirkungsgrad und einer erhöhten Leistungsdichte führt. Sie wurde entwickelt, um eine flexible Schaltfrequenz von unter 5 kHz bis zu 40 kHz in einer einzigen Lösung zu ermöglichen. Sie ist eine Eins-zu-Eins-Alternative zu Vorgängergenerationen mit verbesserter Performance und optimiert für industrielle Motorantriebe und -steuerungen.