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Halbbrücken-MOSFET im LFPAK56D-Gehäuse
Halbbrücken-MOSFET von Nexperia im LFPAK56D-Gehäuse bieten 60% geringere parasitäre Induktivität und verbesserte thermische Leistung
Die Halbbrücken-MOSFET (High- und Low-Side) von Nexperia nutzen das Format des platzsparenden LFPAK56D-Gehäuses. Diese MOSFET benötigen im Vergleich zu Doppel-MOSFET für 3-Phasen-Motorsteuertopologien 30 % weniger Leiterplattenfläche, da sie ohne Leiterbahnen auskommen und gleichzeitig eine einfache automatische optische Inspektion (AOI) während der Produktion ermöglichen. Die Halbbrücke im LFPAK56D-Gehäuse nutzt die bestehenden LFPAK56D-Massenbestückungsverfahren mit bewährter Kfz-Zuverlässigkeit. Das Gehäuse besitzt flexible Anschlussdrähte, um die allgemeine Zuverlässigkeit zu verbessern. Eine interne Kupfer-Clipverbindung zwischen den MOSFET vereinfacht das Leiterplattendesign und ermöglicht eine Plug-and-Play-Lösung mit außergewöhnlicher Strombelastbarkeit.
- Um 60 % gesenkte parasitäre Induktivität durch interne Clipverbindung
- 30% Platzersparnis auf Leiterplatte im Vergleich zu Doppel-MOSFET im LFPAK56D
- Hohe maximale Leistung von >60 A
- Niedriger Wärmewiderstand
- Hand-Elektrowerkzeuge, tragbare Geräte und platzbeschränkte Anwendungen
- DC-Motorantriebe mit und ohne Bürsten
- DC-DC-Systeme
- LED-Beleuchtung
LFPAK56D Half-Bridge MOSFETs
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | PSMN013-40VLDX | MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D | 5858 - Sofort | $1.96 | Details anzeigen |
| | PSMN4R2-40VSHX | MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D | 1506 - Sofort | $2.54 | Details anzeigen |
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