Diese hochleistungsfähigen N-Kanal-MOSFETs von Nexperia sind für ein effizientes Leistungsmanagement in verschiedenen Anwendungen konzipiert. Die MOSFETs nutzen die TrenchMOS-Technologie, um eine überragende Performance und Zuverlässigkeit zu bieten. Sie sind in kompakten LFPAK56- und LFPAK88-Gehäusen erhältlich und daher die ideale Wahl für platzbeschränkte Designs. Mit Merkmalen wie einem hohen Drain-Spitzenstrom, einem niedrigen RDS(on) und einer hohen Sperrschichttemperatur eignen sich diese MOSFETs für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Synchrongleichrichtung, DC/DC-Wandlung, Motorsteuerung und Leistungsmanagement. Die Serie PSMN bietet Optionen für die Gate-Ansteuerung mit Logik- und Standard-Pegeln und unterstützt damit flexibel unterschiedliche Designanforderungen. Außerdem sind diese MOSFETs für Temperaturen von bis zu +175 °C zugelassen, was eine zuverlässige Performance in anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet.
Merkmale
- N-Kanal-ASFET
- 100 V maximale Drain-Source-Spannung
- Niedriger RDS(ON) von 53 mΩ (PSMN047-100NSE)
- Niedriger RDS(ON) von 71 mΩ (PSMN071-100NSE)
- Erweiterter SOA
- Kompaktes DFN2020-Gehäuse
- 60 % kleiner als LFPAK33-Gehäuse
- Geringe I2R-Leitungsverluste
- Sehr geringe IDSS-Leckage
- High-PoE-Fähigkeit (60 W und mehr)
- Fehlertoleranter Lastschalter
- Effizientes Einschaltstrom-Management
- Für eFuse-Anwendungen geeignet
- Zuverlässiger Austausch von Relais
- Robustes Wärmemanagement
Anwendungen
- PoE-Systeme
- IEEE802.3at und proprietäre PoE-Lösungen
- Einschaltstrom-Management
- eFuse-Anwendungen
- Batteriemanagementsysteme
- Relais-Ersatz
- Wi-Fi®-Hotspots
- 5G-Pikozellen
- CCTV-Anlagen
- High-Side-Lastschalter
- Industrielle Automatisierung
- Telekommunikationsequipment
- Rechenzentren
- Netzwerkinfrastruktur
- Verbraucherelektronik
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Diese hochleistungsfähigen N-Kanal-MOSFETs von Nexperia sind für ein effizientes Leistungsmanagement in verschiedenen Anwendungen konzipiert. Die MOSFETs nutzen die TrenchMOS-Technologie, um eine überragende Performance und Zuverlässigkeit zu bieten. Sie sind in kompakten LFPAK56- und LFPAK88-Gehäusen erhältlich und daher die ideale Wahl für platzbeschränkte Designs. Mit Merkmalen wie einem hohen Drain-Spitzenstrom, einem niedrigen RDS(on) und einer hohen Sperrschichttemperatur eignen sich diese MOSFETs für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Synchrongleichrichtung, DC/DC-Wandlung, Motorsteuerung und Leistungsmanagement. Die Serie PSMN bietet Optionen für die Gate-Ansteuerung mit Logik- und Standard-Pegeln und unterstützt damit flexibel unterschiedliche Designanforderungen. Außerdem sind diese MOSFETs für Temperaturen von bis zu +175 °C zugelassen, was eine zuverlässige Performance in anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet.
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