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1700-V-Siliziumkarbid-EliteSiC-Dioden

Die Dioden von onsemi zeichnen sich aus durch temperaturunabhängige Schalteigenschaften und ausgezeichnetes Wärmeverhalten

Abbildung: 1700-V-Siliziumcarbid-(SiC-)Dioden von onsemiDie 1700-V-Siliziumkarbid-EliteSiC-Schottky-Dioden von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten und eine hervorragende, thermische Performance machen Siliziumkarbid zum Leistungshalbleiter der nächsten Generation. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, höhere Betriebsfrequenz, höhere Leistungsdichte, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgröße und -kosten.

Merkmale
  • Leichte Parallelisierung
  • Hohe Stoßstrombelastbarkeit
  • Maximale Sperrschichttemperatur: +175 °C
  • Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
  • Höhere Schaltfrequenz
  • Niedrige Durchlassspannung (VF)
  • Positiver Temperaturkoeffizient
  • AEC-Q100-konform und PPAP-tauglich
Anwendungen
  • HEV/EV-DC/DC-Wandler für die Automobilelektronik
  • HEV/EV-Bordladegeräte
  • Industrielle Stromversorgung
  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Solartechnik
  • UPS
  • Schweißen

1700 V EliteSiC Diodes

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472NDSH25170ADIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472134 - Sofort$14.03Details anzeigen

Other Wide Bandgap Solutions

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3NTHL080N120SC1SICFET N-CH 1200V 44A TO247-30 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AAFFSD08120ADIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA2793 - Sofort
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IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFNNCP51705MNTXGIC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN961 - Sofort
114000 - Lagerbestand des Herstellers		$4.58Details anzeigen
Veröffentlicht: 2020-04-02

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