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Breitlückige Halbleiter-Komponenten von onsemi
Hocheffiziente und intelligente Stromversorgungslösungen
onsemi ermöglicht seinen Kunden ein komplettes Ökosystem für breitlückige Halbleiter-Komponenten, indem es patentierte Abschlussstrukturen bereitstellt, die eine überragende Robustheit für raue Umgebungsbedingungen bieten. Das große Portfolio an Leistungskomponenten ermöglicht die Auswahl einer Topologie, die optimal zu den Größen-, Kosten- und Effizienzvorgaben des jeweiligen Designs passt. Die neue 1200-V-SiC-Diodenfamilie minimiert Leitungs- und Schaltverluste, und die 1200-V-MOSFETs der Familie M3S ermöglichen eine Reduzierung der Verlustleistung um bis zu 20 % in hart schaltenden Anwendungen. Unsere Voll-SiC- und Hybrid-SiC-Module sind für eine überragende Leistung optimiert und verfügen über einfach zu montierende Gehäuse, die zu den üblichen Pinbelegungen der Industrie passen. Von der internen Fertigung bis zu physikalischen Bauteilmodellen für die Simulation gewährleistet onsemi die Zuverlässigkeit aller SiC-Bauteile, einschließlich diskreter Bauteile und Module.
Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs
- SiC-Bauelemente haben im Vergleich zu Silizium-Bauelementen eine 10-mal höhere dielektrische Durchschlagsfeldstärke, eine 2-mal höhere Elektronensättigungsgeschwindigkeit, eine 3-mal größere Energiebandlücke und eine 3-mal höhere Wärmeleitfähigkeit.
Hohe Zuverlässigkeit
- EliteSiC-Bauelemente von onsemi haben eine patentierte Anschlussstruktur, die eine überragende Robustheit für raue Umgebungsbedingungen bietet
- H3TRB-Prüfung (hohe Temperatur/Feuchtigkeit/Vorspannung), 85 C/85 % r. F./85 % V (960 V)
Hohe Robustheit
- Robustheit von SiC-Dioden – Überspannungs- und Avalanche-Schutz
Robust
- SiC-Schottky-Sperrschichtdioden von onsemi haben immer das beste Verhalten in ihrer Klasse in Bezug auf Ableitstrom
- H3TRB-Prüfung (hohe Temperatur/Feuchtigkeit/Vorspannung), 85 C/85 % r. F./85 % V (960 V)
Breitlückige Halbleiter-Technologien
- EliteSiC-MOSFETs für 1200V
- EliteSiC-MOSFETs für 1200V
- EliteSiC-MOSFETs für 1200V
- EliteSiC-Dioden für 650 V
- EliteSiC-Dioden für 1200 V
- EliteSiC-Dioden für 1700 V
- SiC-Treiber
- Isolierte Hochstrom-Gate-Treiber
- GaN-Treiber
EliteSiC-MOSFETs für 650 V
EliteSiC-MOSFETs für 1200V
Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs nutzen eine Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen höchste Effizienz, höhere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte elektromagnetische Störungen sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.
Merkmale/Funktionen
- Niedriger Durchlasswiderstand
- Hohe Sperrschichttemperatur
- 100 % UIL-getestet
- RoHS-konform
- Schnelles Schalten und niedrige Kapazität
- Nennspannung von 650 V
- AEC-Q101-Varianten erhältlich
Anwendungen/Zielmärkte
- DC/DC-Wandler
- Aufwärts-Wechselrichter
- DC/DC-Wandler für die Automobilindustrie
- Leistungsfaktorkorrektur für die Automobilindustrie
Endprodukte
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
- Solartechnik
- Stromversorgung
- Kfz-Bordladegeräte
- Kfz-DC/DC-Wandler für EV/PHEV (Elektro-/Plug-in-Hybridfahrzeuge)
EliteSiC-MOSFETs für 1200V
| Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Details anzeigen |
|---|---|---|
| NTBG015N065SC1 | EliteSiC-MOSFET, N-KANAL, 650 V | Details anzeigen |
| NTBG045N065SC1 | EliteSiC-MOSFET, N-KANAL, 650 V | Details anzeigen |
| NTH4L015N065SC1 | EliteSiC-MOSFET, N-KANAL, 650 V | Details anzeigen |
| NTH4L045N065SC1 | EliteSiC-MOSFET, N-KANAL, 650 V | Details anzeigen |
| NTH4L015N065SC1 | EliteSiC-MOSFET, N-KANAL, 650 V | Details anzeigen |
EliteSiC-MOSFETs für 1200V
EliteSiC-MOSFETs für 1200V
Die Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs nutzen eine Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, höhere Betriebsfrequenz, höhere Leistungsdichte, reduzierte elektromagnetische Störungen und reduzierte Systemgröße und -kosten.
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Merkmale/Funktionen
- Nennspannung von 900 V
- Niedriger Durchlasswiderstand
- Kompakte Chipgröße gewährleistet niedrige Kapazität und Gate-Ladung
- Schnelles Schalten und niedrige Kapazität
- 100 % UIL-getestet
- Automobilzulassung nach AEC-Q101
Anwendungen/Zielmärkte
- Leistungsfaktorkorrektur
- Bordladegeräte
- Aufwärts-Wechselrichter
- Solar-Ladegeräte
- Kfz-DC/DC-Wandler für EV/PHEV (Elektro-/Plug-in-Hybridfahrzeuge)
- Bordladegeräte für die Automobilindustrie
- Kfz-Hilfsmotorantriebe
- Netzwerkstromversorgungen
- Server-Stromversorgungen
EliteSiC-MOSFETs für 1200V
| Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Details anzeigen |
|---|---|---|
| NTBG020N090SC1 | EliteSiC-MOSFET, N-KANAL, 900 V, 9,8 A/112 A | Details anzeigen |
| NTHL020N090SC1 | EliteSiC-MOSFET, N-KANAL, 900 V, 118 A | Details anzeigen |
| NTHL060N090SC1 | EliteSiC-MOSFET, N-KANAL, 900 V, 46 A | Details anzeigen |
| NVBG020N090SC1 | EliteSiC-MOSFET, N-KANAL, 900 V, 9,8 A/112 A | Details anzeigen |
| NVHL020N090SC1 | EliteSiC-MOSFET, N-KANAL, 900 V, 118 A | Details anzeigen |
EliteSiC-MOSFETs M3S für 1200 V
EliteSiC-MOSFETs M3S für 1200 V
Die planaren 1200-V-SiC-MOSFETs der Familie M3S von onsemi sind für schnelle Schaltanwendungen optimiert. Die Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativer Gate-Spannung und unterdrückt Spannungsspitzen am Gate. Die Familie bietet optimale Leistung, wenn sie mit 18-V-Gate-Ansteuerung betrieben wird, eignet sich aber auch gut für eine 15-V-Gate-Ansteuerung.
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Merkmale/Funktionen
- TO247-4LD-Gehäuse für niedrige gemeinsame Source-Induktivität
- 15-V- bis 18-V-Gate-Ansteuerung
- Neue M3S-Technologie: 22 mOhm RDS(ON) mit geringen EON- und EOFF-Verlusten
- 100 % Avalanche-getestet
Vorteile
- Geringere EON-Verluste
- 18 V für beste Leistung; 15 V für Kompatibilität mit IGBT-Treiberschaltungen
- Verbesserte Leistungsdichte
- Verbesserte Robustheit gegenüber unerwarteten Spannungsspitzen oder Klingeln
Anwendungen/Zielmärkte
- AC/DC-Wandlung
- DC/AC-Wandlung
- DC/DC-Wandlung
Endprodukte
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
- Laden von Elektrofahrzeugen
- Solarwechselrichter
- Energiespeichersysteme
EliteSiC-MOSFETs für 1200V
| Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Details anzeigen |
|---|---|---|
| NTBG020N120SC1 | Elite-SiC-FET, N-KANAL, 1200 V, 8,6 A/98 A, D2PAK | Details anzeigen |
| NTHL020N120SC1 | Elite-SiC-FET, N-KANAL, 1200 V, 103 A, TO247-3 | Details anzeigen |
| NVHL020N120SC1 | Elite-SiC-FET, N-KANAL, 1200 V, 103 A, TO247-3 | Details anzeigen |
| NTHL080N120SC1 | Elite-SiC-FET, N-KANAL, 1200 V, 44 A, TO247-3 | Details anzeigen |
| NVBG020N120SC1 | MOSFET, N-KANAL, 1200 V, 8,6 A/98 A, D2PAK | Details anzeigen |
| NVHL080N120SC1 | Elite-SiC-FET, N-KANAL, 1200 V, 44 A, TO247-3 | Details anzeigen |
EliteSiC-Dioden für 650 V
EliteSiC-Dioden für 650 V
Die Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten und ein hervorragendes thermisches Verhalten machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, höhere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte elektromagnetische Störungen sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.
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Merkmale/Funktionen
- Leicht parallel zu schalten
- Hohe Stoßstrombelastbarkeit
- Maximale Sperrschichttemperatur: +175 °C
- Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
- Höhere Schaltfrequenz
- Niedrige Durchlassspannung (VF)
- Positiver Temperaturkoeffizient
- AEC-Q101-konform und PPAP-tauglich
Vorteile
- DC/DC-Wandler für (Hybrid-)Elektrofahrzeuge
- Bordladegeräte für (Hybrid-)Elektrofahrzeuge
- Industrielle Stromversorgung
- Leistungsfaktorkorrektur
- Solartechnik
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
- Schweißtechnik
EliteSiC-Dioden für 650 V
| Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Details anzeigen |
|---|---|---|
| FFSB0665B | EliteSiC-SUBSTRATDIODE, 650 V, 6 A, GEN1.5 | Details anzeigen |
| FFSB0865B | EliteSiC-SUBSTRATDIODE, 650 V, 8 A, GEN1.5 | Details anzeigen |
| FFSP08120A | EliteSiC-SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 8 A | Details anzeigen |
| FFSP10120A | EliteSiC-SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 10 A | Details anzeigen |
| FFSP15120A | EliteSiC-SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 15 A | Details anzeigen |
| FFSH20120A | EliteSiC-SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 30 A | Details anzeigen |
| FFSP3065A | EliteSiC-SCHOTTKY-DIODE, 650 V, 30 A | Details anzeigen |
| FFSM0665A | EliteSiC-SUBSTRATDIODE, 650 V, 6 A | Details anzeigen |
| FFSD1065A | EliteSiC-SUBSTRATDIODE, 650 V, 10 A | Details anzeigen |
| FFSB1065B-F085 | EliteSiC-SUBSTRATDIODE, 650 V, 10 A, GEN1.5 | Details anzeigen |
| FFSB2065B-F085 | EliteSiC-DIODE, 650 V | Details anzeigen |
| FFSM1265A | EliteSiC-SUBSTRATDIODE, 650 V, 12 A | Details anzeigen |
| FFSD08120A | EliteSiC-SUBSTRATDIODE, 1200 V, 8 A | Details anzeigen |
| FFSD10120A | EliteSiC-SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV | Details anzeigen |
| FFSD1065B-F085 | EliteSiC-SUBSTRATDIODE, 650 V, 10 A, GEN1.5 | Details anzeigen |
| FFSB3065B-F085 | EliteSiC-SUBSTRATDIODE, 650 V, 30 A, GEN1.5 | Details anzeigen |
| FFSB10120A-F085 | EliteSiC-KFZ-SUBSTRATDIODE, 1200 V, 10 A | Details anzeigen |
| FFSB20120A-F085 | EliteSiC-KFZ-SUBSTRATDIODE, 1200 V, 20 A | Details anzeigen |
| FFSP05120A | EliteSiC-SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV | Details anzeigen |
| FFSP20120A | EliteSiC-SCHOTTKY-DIODE, 1200 V, 20 A | Details anzeigen |
EliteSiC-Dioden für 1200 V
EliteSiC-Dioden für 1200 V
Die Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, höhere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte elektromagnetische Störungen sowie reduzierte Systemgrößen.
Erfahren Sie mehr
Merkmale/Funktionen
- Nennspannung von 1200 V
- Niedriger Durchlasswiderstand
- Kompakte Chipgröße gewährleistet niedrige Kapazität und Gate-Ladung
- Schnelles Schalten und niedrige Kapazität
- 100 % UIL-getestet
- Automobilzulassung nach AEC-Q101
Anwendungen/Zielmärkte
- Leistungsfaktorkorrektur
- Bordladegeräte
- Aufwärts-Wechselrichter
- Solar-Ladegeräte
- Kfz-DC/DC-Wandler für EV/PHEV (Elektro-/Plug-in-Hybridfahrzeuge)
- Bordladegeräte für die Automobilindustrie
- Kfz-Hilfsmotorantriebe
- Solarwechselrichter
- Netzwerkstromversorgungen
- Server-Stromversorgungen
EliteSiC-Dioden für 1200 V
| Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Details anzeigen |
|---|---|---|
| NTBG020N120SC1 | SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 8,6 A/98 A, D2PAK | Details anzeigen |
| NTHL020N120SC1 | SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 103 A, TO247-3 | Details anzeigen |
| NVHL020N120SC1 | SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 103 A, TO247-3 | Details anzeigen |
| NTHL080N120SC1 | SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 44A, TO247-3 | Details anzeigen |
| NVBG020N120SC1 | MOSFET, N-KANAL, 1200 V, 8,6 A/98 A, D2PAK | Details anzeigen |
| NVHL080N120SC1 | SIC-FET, N-KANAL, 1200 V, 44A, TO247-3 | Details anzeigen |
EliteSiC-Dioden für 1700 V
EliteSiC-Dioden für 1700 V
Die Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten und eine hervorragende thermische Performance machen Siliziumkarbid zum Leistungshalbleiter der nächsten Generation. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, höhere Betriebsfrequenzen, höhere Leistungsdichten, reduzierte elektromagnetische Störungen sowie reduzierte Systemgrößen und -kosten.
Erfahren Sie mehr
Merkmale/Funktionen
- Leicht parallel zu schalten
- Hohe Stoßstrombelastbarkeit
- Maximale Sperrschichttemperatur: +175 °C
- Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
- Höhere Schaltfrequenz
- Niedrige Durchlassspannung (VF)
- Positiver Temperaturkoeffizient
- AEC-Q101-konform und PPAP-tauglich
Anwendungen/Zielmärkte
- DC/DC-Wandler für (Hybrid-)Elektrofahrzeuge
- Bordladegeräte für (Hybrid-)Elektrofahrzeuge
- Industrielle Stromversorgung
- Leistungsfaktorkorrektur
- Solartechnik
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
- Schweißtechnik
EliteSiC-Dioden für 1700V
| Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Details anzeigen |
|---|---|---|
| NDSH25170A | EliteSiC-SPERRSCHICHT-SCHOTTKY-DIODE, 25 A | Details anzeigen |
Siliziumkarbid-(SiC)-Treiber
Siliziumkarbid (SiC)-Treiber
Der schnelle einkanalige 6-A-Low-Side-Treiber NCx51705 von onsemi ist in erster Linie für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs konzipiert. Um möglichst geringe Leitungsverluste zu erzielen, kann der Treiber die maximal zulässige Gate-Spannung an das SiC-MOSFET-Bauelement liefern. Durch die Bereitstellung eines hohen Spitzenstroms während des Ein- und Ausschaltens werden auch die Schaltverluste minimiert. Für eine verbesserte Zuverlässigkeit, dV/dT-Immunität und ein noch schnelleres Ausschalten kann der NCx51705 mit seiner integrierten Ladungspumpe eine vom Benutzer wählbare negative Spannungsschiene erzeugen. Für isolierte Anwendungen bietet der NCx51705 auch eine von außen zugängliche 5-V-Schiene zur Versorgung der Sekundärseite von digitalen oder Hochgeschwindigkeits-Optoisolatoren.
Erfahren Sie mehr
Merkmale/Funktionen
- Hoher Spitzenausgangsstrom mit geteilten Ausgangsstufen
- Erweiterte positive Nennspannung von maximal 28 V
- Integrierte einstellbare negative Ladungspumpe (-3,3 V bis -8 V)
- Zugängliche 5-V-Referenz-/Vorspannungsschiene
- Einstellbare Unterspannungssperre
- Funktion zur schnellen Entsättigung
- QFN24-Gehäuse, 4 mm x 4 mm
- Ermöglicht unabhängige Ein/Aus-Anpassung
- Effizienter SiC-MOSFET-Betrieb während der Leitungsperiode
- Schnelles Ausschalten und robuste dV/dT-Immunität
- Minimierung der Komplexität der Vorspannungsversorgung in Anwendungen mit isoliertem Gate-Treiber
- Ausreichende VGS-Amplitude für optimale SiC-Performance
- Selbstschutz des Designs
- Kleines Gehäuse mit geringer parasitärer Induktivität
Anwendungen/Zielmärkte
- Hochleistungswechselrichter
- Hochleistungsmotortreiber
- Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur
- Industrie und Motorantriebe
- USV und Solar-Wechselrichter
- Hochleistungs-Gleichstromladegeräte
Siliziumkarbid-(SiC)-Treiber
| Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Details anzeigen |
|---|---|---|
| NCP51705MNTXG | GATE-TREIBER-IC, LOW-SIDE, 24QFN | Details anzeigen |
| NCV51705MNTWG | GATE-TREIBER-IC, LOW-SIDE, 24QFN | Details anzeigen |
Isolierte Hochstrom-Gate-Treiber
Isolierte Hochstrom-Gate-Treiber
Das Portfolio an Gate-Treibern von onsemi umfasst GaN-, IGBT-, FET-, MOSFET-, H-Brücken-MOSFET- und SiC-MOSFET-Treiber mit invertierenden und nichtinvertierenden Eigenschaften, die sich ideal für Schaltanwendungen eignen.
Erfahren Sie mehrIsolierte Hochstrom-Gate-Treiber
| Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Details anzeigen |
|---|---|---|
| NCD57000DWR2G | IC-GATE-TREIBER, HALBBRÜCKE, 16SOIC | Details anzeigen |
| NCD57001DWR2G | IC-GATE-TREIBER, HALBBRÜCKE, 16SOIC | Details anzeigen |
| NCV57001DWR2G | IC-IGBT-GATE-TREIBER | Details anzeigen |
| NCV57000DWR2G | IC-IGBT-GATE-TREIBER | Details anzeigen |
GaN-Treiber
NCP51810: Hochleistungsfähiger Halbbrücken-Gate-Treiber mit 150 V für GaN-Leistungsschalter
Die Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber NCP51810 und NCP51820 wurden entwickelt, um die strengen Anforderungen an die Ansteuerung von GaN-HEMT-Leistungsschaltern im Anreicherungsmode und auf Basis von Gate-Injection-Transistoren (GIT) (NCP51820) in Offline-Halbbrücken-Leistungstopologien zu erfüllen. Der NCP51810 bietet kurze und angepasste Ausbreitungsverzögerungen sowie einen Gleichtaktspannungsbereich von -3,5 V bis +150 V (typisch) für die High-Side-Ansteuerung, während der NCP51820 kurze und angepasste Ausbreitungsverzögerungen sowie einen Gleichtaktspannungsbereich von -3,5 V bis +650 V (typisch) für die High-Side-Ansteuerung bietet. Um das Gate des GaN-Leistungstransistors vollständig vor übermäßiger Spannungsbelastung zu schützen, nutzen beide Treiberstufen einen dedizierten Spannungsregler zur genauen Einhaltung der Gate-Source-Treibersignalamplitude. NCP51810 und NCP51820 bieten wichtige Schutzfunktionen wie die unabhängige Unterspannungs- (UVLO) und die thermische IC-Abschaltung.
Erfahren Sie mehrAnwendungshinweise
Merkmale/Funktionen
- 150-V-High- und Low-Side-Gate-Treiber
- Kurze Ausbreitungsverzögerung von max. 50 ns
- Kurze Ausbreitungsverzögerung von max. 50 ns
- dV/dT-Nennwert von 200 V/ns für alle SW- und PGND-referenzierten Schaltkreise
- Getrennte Ausgangspins für Quelle und Senke
- Geregelter 5,2-V-Gate-Treiber mit unabhängiger Unterspannungsabschaltung für High- und Low-Side-Endstufen
- 15-poliges QFN-Gehäuse mit 4 mm x 4 mm und optimierter Pinbelegung
Vorteile
- Unterstützt 48-V-Eingangsdesign mit ausreichender Sicherheitsmarge
- Für Hochfrequenzanwendungen geeignet
- Erhöhte Effizienz und Parallelschaltung möglich
- Robuste Konstruktion für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz
- Steuerung der Anstiegs- und Abfallzeit für EMI-Abstimmung möglich
- Optimale Ansteuerung von GaN-Leistungsschaltern und Vereinfachung des Designs
- Kleine Platinenfläche, geringe parasitäre Eigenschaften, für Hochfrequenzbetrieb geeignet
Anwendungen/Zielmärkte
- Resonanzwandler
- Halbbrücken- und Vollbrückenwandler
- Sperrwandler mit aktiver Begrenzung
- Nichtisolierte Abwärtswandler
Endprodukte
- 48-V-zu-Niederspannungs-Zwischenbus-Wandler für Rechenzentren
- 48-V-zu-PoL-Wandler
GaN-Treiber
| Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Details anzeigen |
|---|---|---|
| NCP51810AMNTWG | HOCHGESCHWINDIGKEITS-HALBBRÜCKENTREIBER FÜR | Details anzeigen |
Schweiz